英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆

在半导体制造技术领域，英飞英飞凌再次取得了新的凌推里程碑。近日，出全该公司宣布成功推出全球最薄的球最硅功率晶圆，这一突破性进展展示了英飞凌在半导体材料处理方面的薄硅卓越实力。

这款新推出的功率硅功率晶圆直径为300mm，厚度仅为20μm，晶圆相当于头发丝的英飞四分之一，是凌推目前市场上最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。这一创新不仅代表了半导体材料加工技术的出全极致，更为未来的球最电子产品设计提供了更多可能性。

此前，薄硅英飞凌已经宣布推出全球首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆，功率并在马来西亚居林建成了全球最大的晶圆200mm碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂。此次最薄硅功率晶圆的英飞推出，进一步巩固了英飞凌在功率半导体领域的领先地位。

英飞凌表示，这款最薄硅功率晶圆的推出，将为电子产品带来更高的性能和更低的功耗，助力实现更广泛的应用场景。未来，英飞凌将继续致力于半导体技术的创新与发展，为全球客户提供更加优质的产品和服务。